<var id="h9r5j"></var><var id="h9r5j"></var>
<ins id="h9r5j"></ins>
<cite id="h9r5j"><video id="h9r5j"></video></cite><cite id="h9r5j"><strike id="h9r5j"><thead id="h9r5j"></thead></strike></cite>
<menuitem id="h9r5j"></menuitem>
<cite id="h9r5j"><video id="h9r5j"><menuitem id="h9r5j"></menuitem></video></cite>
<ins id="h9r5j"></ins>
<cite id="h9r5j"><video id="h9r5j"></video></cite>
<menuitem id="h9r5j"></menuitem>
<cite id="h9r5j"><span id="h9r5j"><menuitem id="h9r5j"></menuitem></span></cite><var id="h9r5j"></var><cite id="h9r5j"><span id="h9r5j"><var id="h9r5j"></var></span></cite>
<cite id="h9r5j"></cite>
<var id="h9r5j"></var><var id="h9r5j"></var><cite id="h9r5j"><strike id="h9r5j"><menuitem id="h9r5j"></menuitem></strike></cite>
<cite id="h9r5j"><video id="h9r5j"></video></cite>
<var id="h9r5j"><video id="h9r5j"><menuitem id="h9r5j"></menuitem></video></var><cite id="h9r5j"><video id="h9r5j"></video></cite>
语言选择
您现在的位置:
首页
/
/
/
化学气相沉积设备
浏览量:
1000

化学气相沉积设备

PECVD?是借助微波或射频的方法将目标气体进行电离,在局部形成化学活性很强的等离子体,利用等离子体的活性来促进化学反应在较低的温度下进行,从而在基片上沉积出所期望的薄膜。
零售价
0.0
市场价
0.0
浏览量:
1000
产品编号
数量
-
+
库存:
0
产品描述
参数

  PECVD 是借助微波或射频的方法将目标气体进行电离,在局部形成化学活性很强的等离子体,利用等离子体的活性来促进化学反应在较低的温度下进行,从而在基片上沉积出所期望的薄膜。这种CVD 因借助于等离子体的活性,故称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。其主要优点有:沉积温度低,对基体的结构和物理性质影响??;膜的厚度及成分均匀性好;膜组织结构致密、针孔少;膜层的附着力强;应用范围广,可制备各种金属膜、无机膜和有机膜。

  PECVD 在集成电路中应用广泛,主要用来沉积SiO2、SiNx、SiOxNy、APF、TEOS、FSG 和FSG 等多种介电材料薄膜。

  AP/LPCVD 分别指的是在常压/低压条件下通过气体混合的化学反应在硅片表面淀积一层固体膜的工艺。APCVD主要沉积的薄膜有:氧化硅、PSG、BPSG 等介电材料薄膜,而LPCVD 主要沉积的薄膜有:氮化硅薄膜、多晶硅薄膜、非晶硅薄膜、二氧化硅薄膜等。

  HiPE是自主设计研发的产品系列。设备可实现所有相关介质薄膜的沉积,可以满足客户多种多样的技术要求。

特点:

  可以定制化工艺需求,满足客户工艺要求

  准确的参数设置和调节

  灵活友好的操作系统

  低的运行成本,以及小的占地面积

  通过S2和F47认证
 

扫二维码用手机看
未找到相应参数组,请于后台属性模板中添加
上一个
下一个

更多产品

案例名称

刻蚀设备

刻蚀是半导体晶圆制造中的关键步骤,在半导体制造中重要性凸显。
案例名称

化学气相沉积设备

PECVD?是借助微波或射频的方法将目标气体进行电离,在局部形成化学活性很强的等离子体,利用等离子体的活性来促进化学反应在较低的温度下进行,从而在基片上沉积出所期望的薄膜。

在线留言

MESSAGE

留言应用名称:
客户留言
描述:
验证码

联系我们

  • 微信公众号 关注我们

?芯源科创(北京)电子科技有限公司  版权所有   京ICP备2022005763号-1  SEO标签

男人强撕开奶罩揉捏我奶头视频,免费动漫无遮羞视频在线观看,免费观看AV在线网站网址,国产精品无码久久av